где Р — мощность (вт); V_а — напряжение (в); I _а—анодный ток (а).

При установившемся режиме поглощаемая мощность рассеивается анодом в окружающую среду.

При заданной мощности, рассеиваемой на аноде, температура его определяется излучающей способностью. Чем больше площадь анода и излучающая способность его поверхности, тем ниже его температура при заданной' мощности. Для повышения излучающей способности анод особым образом чернят, а для увеличения площади поверхность его делают шероховатой.

Для того чтобы лампы не выходили из строя, по причине избыточной мощности рассеяния на аноде (экранной сетке), необходимо следить за напряжением питания усилителя и не допускать превышения напряжения более чем на 10%.

Для кенотронов имеет большое значение еще один номинал — максимально допустимая амплитуда обратного анодного напряжения, который рассмотрен ниже при описании кенотронов.

Входная емкость электронной лампы — одна из емкостей, существующих между электродами лампы. Проходная емкость С_аг (емкость анод — управляющая сетка), выходная емкость С_ак (для триодов емкость между анодом и катодом) и емкость С_вых (для многоэлектронных ламп емкость между анодом и всеми остальными электродами, исключая управляющую сетку) в усилителях низкой частоты роли не играют.

Входная емкость лампы, существующая между управляющей сеткой и катодом (С^_к) для триодов составляет 2—4 мкмкф; емкость между управляющей сеткой и всеми остальными электродами (кроме анода) для многоэлектродных ламп составляет величину порядка 7 мкмкф.

Входная емкость электронных ламп определяется:

а)         для триодов — значением емкости между управляющей сеткой и катодом (С 1,_к “ 2—4 мкмкф);

б)         для многоэлектронных ламп — емкостью между управляющей сеткой и остальными электродами, кроме анода (емкость имеет значение 6—8 мкмкф). При проектировании входной цепи усилителя учитывается емкость сеточной цепи лампы, которая определяется следующим выражением: